主要职责:
1. 核心子系统设计与开发:
o 负责ALE设备的需求分析、方案设计与详细开发。重点方向包括但不限于:
等离子体源与射频系统: 设计与优化适用于ALE循环工艺的脉冲/连续波等离子体源(ICP/CCP)、高速射频匹配网络及功率传递系统。
反应腔室与气路系统: 设计高均匀性、低记忆效应的反应腔室结构;开发适用于高活性、低蒸汽压前驱体的精确配气、输送与净化系统。
基台与温控系统: 设计用于ALE工艺的高精度静电卡盘(ESC)、多区温控系统及高速晶圆传送接口。
真空与压力控制系统: 设计满足快速压力循环(毫秒级)要求的真空系统架构与高速压力控制回路。
2. 系统集成与原型机调试:
o 主导或深度参与研发原型机的机械、电气、软件及工艺模块的系统集成与联调。
o 制定并执行全面的功能、性能与可靠性测试方案,收集数据,通过建模与实验相结合的方式,诊断并解决系统级交互问题。
3. 前沿技术研究与创新:
o 跟踪学术与产业界最新进展,对突破现有ALE设备性能瓶颈的新技术、新方法、新部件进行前瞻性研究和概念验证。
4. 跨部门协作与知识转移:
o 与工艺研发团队紧密互动,深刻理解工艺物理与化学过程对设备提出的边界条件,将工艺需求“翻译”为设备设计指标。
o 编制详尽的设计文档、测试报告和技术规格书,支持产品由研发向工程化和量产阶段的顺利转移。
任职资格
必需条件:
1. 教育背景:硕士及以上学历,等离子体物理、微电子工程、精密仪器、机械工程(偏微纳系统设计)或相关专业。
2. 工作经验与能力:
o 10年以上半导体高端设备(刻蚀、薄膜沉积)研发经验。
o 对原子层刻蚀(ALE)或原子层沉积(ALD) 的工艺原理、关键物理/化学过程及设备实现挑战有深入理解。
3. 个人特质:
o 具备严谨的逻辑推理能力和解决开放性复杂工程问题的热情。
o 强烈的技术好奇心、创新驱动和自我激励精神。
o 优秀的团队协作与沟通能力,能够清晰、准确地表达复杂技术概念。
优先条件:
1. 拥有与ALE设备直接相关的研发或深度工艺开发经验。
2. 熟悉半导体设备相关的行业标准(如SEMI标准)及可靠性设计方法.
3. 具备真空系统、射频电路或精密运动控制的硬件设计与调试实践经验。