岗位职责

工艺开发与优化：

1、主导功率半导体器件（如MOSFET、IGBT等）的工艺开发，覆盖银烧结、焊接、键合、注塑等关键制程；

2、优化现有生产工艺，提升产品良率、一致性及生产效率，解决量产中的工艺瓶颈问题；

3、参与新产品导入（NPI），协同研发团队完成工艺验证与转量产，确保设计与制造的工艺匹配性。

工艺文件与标准：

1、维护及优化工艺流程图（PFMEA）、作业指导书（SOP）、工艺参数表等技术文件；

2、推动工艺标准化，建立工艺管控体系，确保生产过程符合IATF16949、ISO9001等质量体系要求。

问题分析与改善：

1、主导产线异常问题（如良率波动、工艺偏差）的根因分析，制定纠正预防措施（CAPA）并推动闭环；

2、参与设备调试与维护，协同设备工程师优化工艺与设备的匹配性（如银烧结、焊接、键合、注塑等）。

跨部门协作：

1. 与研发、质量、生产、设备等部门紧密配合，推动技术问题快速解决；

2. 对生产团队进行工艺培训，提升操作规范性与工艺理解能力。

任职资格：

学历与经验：

1. 本科及以上学历，微电子、材料科学、电子工程等相关专业；

2. 10年左右半导体制造工艺经验，其中至少2年功率半导体（如MOSFET、IGBT）工艺开发或量产经验；

3. 有封装测试工艺经验者优先，熟悉全流程工艺者尤佳。

技术能力：

1. 精通功率半导体核心工艺（如银烧结、焊接、键合、注塑等），熟悉相关设备的工艺参数调试；

2. 掌握工艺DOE验证和统计过程控制（SPC）方法，能通过数据驱动工艺优化；

3. 熟悉IATF16949、ISO9001等质量体系，有工艺相关体系文件编制或审核经验者优先。

综合素养：

1. 具备强问题解决能力，能独立分析复杂工艺异常并推动改善；

2. 沟通协调能力突出，适应小团队快速响应节奏，能承受量产压力；

3. 学习能力强，对功率半导体新技术（如宽禁带半导体、先进封装）有敏感度。