1.研发具有竞争性的器件及相关技术；

2.研究新型外延结构和半导体激光器件设计，追踪国际上一流研究成果，改善半导体激光器件的功率、效率、光束质量、光谱、偏振度和可靠性等参数；

3.掌握GaAs及InP基激光器制备工艺、测试及失效分析方法；

1.半导体、激光、光学、微电子、物理相关专业，硕士及以上学历；

2.具备半导体激光器件计算模拟方面的实际经验；使用过PICS3D、Comsol、FDTD等仿真软件者优先；

3.具备半导体激光芯片设计、激光芯片工艺制作或者封装测试等方面经验者优先；

4.能够熟练查阅英文文献，具备较好的中英文读写能力和表达能力；

5.具备认真严谨的工作作风、勇于创新的精神，责任感强，具有团队合作及沟通协调能力。