岗位职责:
1、主导或参与功率/保护元件（Power-MOSFET/SJ-MOS/SBD/ESD保护器/IGBT/GaN等）研发项目，负责新产品的工程开发与项目可行性分析;
2、功率/保护元件（Power-MOSFET/SJ-MOS/SBD/ESD保护器/IGBT/GaN等）结构设计和仿真模拟;
3、与工厂进行技术沟通，制定工艺流程、DOE方案、测试SPEC制定等;
4、根据需求进行产品优化升级、性能改善及良率提升；
5、掌握功率器件电性参数及可靠性测试方法，负责推进组内项目进展，确保项目按计划达成量产目标;
6、编制产品规格书；
7、对内部、外部合作伙伴进行产品、技术培训、指导；
任职要求:
1、大专及以上学历，半导体或微电子相关专业或有半导体封装/终端应用技术/场效应MOS管行业经验优先，可以适当放低学历要求;
2、精通功率MOS类芯片设计与开发芯片工艺制造，熟悉外延层参杂浓度、晶体结构控制，熟悉产品封装工艺及产品应用。