职位描述：
1. 协助完成IGBT芯片的设计与开发，包括器件结构设计，仿真优化及性能验证；
2.参与IGBT芯片的工艺开发与流程优化，协助解决工艺中的技术问题；
3. 协助进行芯片的电学特性测试与数据分析，撰写测试报告；
4. 支持团队完成IGBT芯片的可靠性评估与失效分析；
5. 协助完成相关技术文档的编写与整理，包括设计规范、测试报告等；
6. 跟踪行业技术动态，参与新技术的研究与开发；
7. 完成上级交办的其他相关工作。
任职要求：
1. 学历要求：微电子、电子工程、半导体物理、材料科学等相关工科专业本科及以上学历；
2.专业知识：熟悉半导体器件物理、功率器件设计原理，了解IGBT工作原理及制造工艺；
3. 技能要求：
- 熟练使用TCAD仿真工具（如Sentaurus、Silvaco等）；
- 熟悉常用测试仪器（如示波器、半导体参数分析仪等）；
- 具备一定的编程能力（如Python、Matlab等）者优先；
4. 经验要求**：
- 有半导体器件设计或工艺开发2年经验者优先；
- 应届毕业生需有相关项目或实习经验；
5. 其他要求：
- 具备良好的学习能力、沟通能力和团队协作精神；
- 工作认真负责，具备较强的抗压能力；
6. 加分项：
- 熟悉IGBT的设计与制造；
-了解芯片封装与可靠性测试相关知识。