岗位职责

1. 参与射频芯片的指标确认、性能验证以及系统仿真；

2. 负责Si基工艺或者III-V族工艺射频集成电路设计；

3. 负责射频芯片的设计与开发，包括但不限于低噪声放大器、混频器、功率放大器、压控振荡器、移相器、衰减器、收发前端、倍频器等；

4. 负责芯片中射频部分版图设计，负责版图后仿并确保最终性能；

5. 提交所负责模块的芯片研发报告及相关测试方案；

6. 与其他部门和团队密切协作，指导和参与芯片的封装、测试、调试等工作。

任职要求

1. 通讯、微电子、微波及相关专业本科及以上学历；

2. 熟悉射频电路设计理论、方法和流程；

3. 熟练使用相关EDA设计和仿真工具；

4. 了解包括LNA、PA、Mixer、VCO、PLL、Doubler、Phase Shifer等在内的两种或以上的电路原理和设计流程；

5. 有RFIC或MMIC流片经验者优先；

6. 有系统集成经验者优先；

7. 能熟练阅读英文技术文档和专业文献；

8. 能独立解决开发过程中的问题，具有较强的独立项目开发、方案设计和文档编写能力；

9. 具有良好的团队精神和沟通协作能力，主动性强，具备良好的自我学习和管理能力。