岗位职责:
1、负责功率模块前沿技术的市场调研及行业信息的跟踪,产品规格定义等;
2、负责IGBT芯片设计与开发,器件仿真、版图设计、竞品分析等;
3、负责功率IGBT芯片的外包流片,优化芯片工艺, 提高芯片性能;
4、负责功率IGBT芯片的电学测试以及芯片和封装模块的可行性认证。
3、提供项目从立项到量产前的开发过程需要的文件资料,受控相关文件等;
任职要求:
1、本科及以上微电子、集成电路等相关专业,2年以上IGBT芯片设计相关经验;
2、熟悉并掌握功率半导体器件的原理,结构,特性,工艺,封装,应用等;
3、能够熟练使用数据分析、相关器件仿真软件,熟悉器件可靠性分析手法;
4、逻辑清晰,有较强的沟通协调能力、团队精神和较强的抗压能力;
5、良好的英文阅读能力。
工作地点:南京