岗位职责:
1.负责解决碳化硅衬底生长的相关设计、工艺、参数、可靠性等问题；
2.负责碳化硅技术迭代的研究，为现有技术、产品提供迭代升级和替代性方案的技术；
3.指导碳化硅长晶良率、产能等方面的工艺优化工作，对实施过程中的瓶颈性问题提供全面的技术指导和解决方案；
4.利用工艺技术不断提出改进建议，推动设备设计的优化提升；
5.参与碳化硅产品新技术、新标准、新工具和新方法研究及开发；
6.负责研发样品的管理和研发样片的测试、分析、评价等相关工作；
7.撰写相关技术报告、方案、总结及汇报材料等；
8.直接上级安排的其它工作任务等。
任职要求:
1.研究生及以上学历，物理学、材料科学、半导体等相关专业或研究方向（优秀人才可下调标准）。
2.三年及以上碳化硅衬底技术工作经验，熟悉碳化硅材料配方、材料合成技术理论，熟悉溶液法、物理气相输运法等工艺，具有独立带领技术团队进行相关产品、技术开发的成功案例者优先考虑。（有天科、天岳、铄科、晶格等相关已实现量产或具备量产技术水平企业的生产研发经验者，可以放宽该条件）
3.有较强的学习能力、逻辑思维能力，较好的沟通、表达能力和团队协作精神。
4.熟练使用仿真软件、有限元软件分析经验者优先考虑；
5.有6吋及以上液相法长晶经验，有8吋及以上电阻法长晶经验优先考虑；
6.认可公司的企业文化，具有很好的团队合作精神和技术素养，肯干又有方法论，务实又勇于拓新。