岗位职责
1.针对IGBT和碳化硅MOS等功率器件和模块，根据实际应用需求进行定制化可靠性测试方案设计和测试流程开发；

2.能够完成测试方案设计，测试流程开发，测试数据整理分析，测试报告，测试方法研究报告等相关文档撰写；

3.熟悉AQG-324，AEC-Q101等车规级可靠性认证标准，能够独立完成功率器件和模块的可靠性测试方案设计和测试试验操作（包括静态参数测试，HTRB，HTGB，H3TRB，TST，PCmin，PCsec，C-SAM，瞬态热阻等）；

4.熟悉功率器件和模块的工作原理，针对试验过程中出现的常见故障和失效进行快速排查和处理，使试验顺利进行；

5.熟悉功率器件和模块的失效机理，针对试验过程中出现的器件失效进行失效分析，对试验数据进行整理分析并撰写测试报告；

6.熟悉IGBT和碳化硅MOS等功率器件和模块的性能参数，完成实验室可靠性相关设备日常维护和设备校验等工作，联系设备厂商定制老化板和试验耗材采购，能够提出配件和耗材的定制需求规格；

7.带领实验员完成IGBT，碳化硅功率模块的可靠性测试，对试验过程中每个环节的安全操作规范和操作步骤进行审核，确保试验过程中的人员安全和试验过程正确进行。

8.配合完成部门领导安排的其他工作。
岗位要求
1.硕士研究生及以上学历，985、211学校优先，电子、电气或相关工科专业背景；

2.1984年1月1日后出生，具有3年以上功率半导体器件性能与可靠性测试经验，特别优秀的可适当放宽条件；

3.学习过半导体器件物理或功率半导体器件物理相关课程，熟悉二极管，IGBT和碳化硅功率器件和模块的工作原理；

4.熟悉高压大功率IGBT和碳化硅MOS性能参数及可靠性寿命要求，了解功率模块可靠性测试设备的基本规格参数；

5.较强的动手能力及沟通能力，有责任心、团队协作意识及敬业精神。