一、任职要求：
1.学历：硕士及以上学历，微电子、光学工程、物理、材料等相关专业。
2.工作经验：
1)5 年以上半导体晶圆厂光刻工艺经验。
2)具备 40nm 及以下节点高深宽比结构（Contact/Via/hole）光刻开发经验。
3)有 OPC 和刻蚀工艺经验者优先考虑。
3.具备能力：
1) 具备 DOE 实验设计及统计分析能力。
2) 具备较强的逻辑分析和沟通能力。
二、岗位职责：
1.
高深宽比结构光刻工艺开发
1)主导 40nm 及以下节点的高深宽比的 Contact/Via/Hole 光刻工艺研发。
2)设计 DOE 实验，优化光刻工艺窗口。
3)跨部门协同刻蚀/薄膜等团队解决图形转移系统性问题。
2.
OPC 协同开发
1)与设计团队合作，负责 OPC 数据分析，OPC 模型建立及验证，OPC 程序建立及持续改进。