职位详情
高级射频芯片设计工程师-化合物GaAs HBT PA-成都2025 (MJ000080)
2.8-4万·14薪
成都嘉纳海威科技有限责任公司
成都
5-10年
本科
03-18
工作地址

成都市高新区科园南一路6号附一号

职位描述

岗位描述:承担硅基射频芯片的专业新技术开发与研究;对本人所承担的专业领域的技术状态与计划负责;负责解决射频芯片领域的关键技术问题;负责射频芯片领域模块化建设;组织或参加本专业的相关专业技术评审。

岗位职责:

1.负责硅基射频芯片架构设计、电路设计、仿真和优化,包括但不限于硅基幅相多功能芯片、SOI开关芯片、硅基射频前端芯片研发以及相关电路模块(LNA、PA、Switch、Mixer、Filter、ATT、PS等)设计以及无源器件等电磁场仿真设计;

2.制定芯片设计规范和测试方案,指导工程师设计;

3.解决芯片设计、流片测试和应用中的关键技术问题;

4.完成芯片中六性设计工作,并编制相关的六性报告;

5. 主导技术交流培训,提升公司技术水平;

6. 参与公司各项评审,担任评审专家,提出建设性意见。

任职条件:

1.职业素质:敬业精神、主动性、合作精神、自我学习。

2.专业素质:本科及以上学历,微波通信工程、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、集成电路设计与集成系统、微电子学等相关专业;熟练掌握射频电路设计流程和方法,熟悉Cadence、ADS、EMX等射频芯片EDA设计工具;精通硅基(CMOS、SiGe、SOI)等工艺设计原理;具备硅基幅相多功能芯片、低噪声放大器芯片、功率放大器芯片、SOI开关芯片等射频芯片的设计能力熟悉射频芯片测试流程,熟练掌握实验室测试,熟悉射频测试仪器,如网络分析仪、频谱分析仪等,具备芯片失效分析能力。

3.工作经验:本科应具有8年以上硅基射频芯片设计经验,硕士应具有5年以上硅基射频芯片设计经验,博士应具有3年以上硅基射频芯片设计经验;具有两款以上幅相多功能芯片成功研制经验。

4.工作能力:具有扎实的射频电路理论基础,半导体物理等理论基础;具有项目管理能力,具有问题分析与解决能力,有一定的组织能力和沟通能力,具有较强的工作计划性、条理性及较强自我管理水平;具备良好的沟通能力和团队合作能力。

以担保或任何理由索取财物,扣押证照,均涉嫌违法,请提高警惕

立即申请