职位详情
高级射频芯片设计工程师-化合物GaAs HBT PA-成都2025 (MJ000080)
2.8-4万·14薪
成都嘉纳海威科技有限责任公司
成都
5-10年
本科
05-07
工作地址

成都市高新区科园南一路6号附一号

职位描述

岗位描述:承担射频芯片的专业新技术开发与研究;对本人所承担的专业领域的技术状态与计划负责;负责解决射频芯片领域的关键技术问题;负责射频芯片领域模块化建设;组织或参加本专业的相关专业技术评审。

岗位职责:

1.负责民品GaAs HBT PA芯片电路设计、仿真和优化,包括但不限于WiFi PA或者Doherty PA。

2.制定芯片设计规范和测试方案,指导工程师设计;
3.解决芯片设计、流片测试和应用中的关键技术问题;
4.参与公司各项评审,担任评审专家,提出建设性意见。

任职条件:

1、职业素质:敬业精神、主动性、合作精神、自我学习;
2、专业素质:本科以上学历,微波通信工程、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、集成电路设计与集成系统、微电子学等相关专业;熟练掌握射频电路设计流程和方法,熟悉Cadence或ADS等射频芯片EDA设计工具;精通化合物(GaAs、GaN)等工艺设计原理;具备低噪声放大器芯片、功率放大器芯片、开关芯片、幅相多功能芯片等射频芯片的设计能力熟悉射频芯片测试流程,熟练掌握实验室测试,熟悉射频测试仪器,如网络分析仪、频谱分析仪等,具备芯片失效分析能力;
3、工作经验:应具有8年以上射频芯片设计经验,具有WiFi PA或者Doherty PA量产经验;
4、工作能力:具有扎实的射频电路理论基础,半导体物理等理论基础;具有项目管理能力,具有问题分析与解决能力,有一定的组织能力和沟通能力,具有较强的工作计划性、条理性及较强自我管理水平;具备良好的沟通能力和团队合作能力。

以担保或任何理由索取财物,扣押证照,均涉嫌违法,请提高警惕

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