核心职责：

1. 主导MOSFET/IGBT器件的 Design Rule检查、Layout设计 及 产品手册编制；
2. 设计 NPI/DOE实验方案，完成晶圆级良率优化（目标：单批次良率提升≥2%）；
3. 负责量产异常分析（EFA/PFA）及 低良率根因追溯（需输出8D报告）；
4. 解决 inline缺陷问题（如光刻对准偏差、金属层短路），协同设备/工艺团队改进；
5. 维护产品全生命周期良率（当前6英寸线良率98.5%，目标2025年12英寸线≥99%）。

任职要求：

• 本科及以上学历，微电子/电子专业， 熟悉半导体物理及分立器件工艺；
• 2年以上 半导体工艺整合经验，有MOSFET/IGBT量产项目者优先（需提供良率提升案例）；
• CET-4及以上，能熟练阅读ASML/Tel设备手册及撰写英文技术文档；
• 具备 跨部门协作能力（需协调设计、设备、生产三方资源）。

加分项：

• 掌握TCAD仿真（Sentaurus）或熟悉 SiC器件工艺；
• 有车规级产品认证（IATF 16949）经验；
• 熟悉6σ方法论（通过绿带认证优先）。

企业亮点：

• 国有资本控股（重庆产业投资集团51%持股），享受政策补贴（12英寸产线设备补贴30%）；
• 聚焦 功率半导体国产替代（比亚迪核心供应商），12英寸SiC产线2025年量产；
• 职业发展双通道：技术专家（年薪50万+）或管理序列（PIE经理年薪35万+）。