职位详情
GaN(氮化镓)芯片研发工程师
2-3万·13薪
中科新微特
北京
3-5年
硕士
07-17
工作地址

航空科技大厦B座17层

职位描述
岗位要求:
1. 负责GaN芯片的设计与研发,解决研发过程中的相关设计、工艺、参数、可靠性等问题;
2. 负责器件版图、光刻版检查,以及产品工艺流程和投产相关工作;
3. 负责GaN产品新技术、新标准、新工具和新方法研究及开发;
4. 负责研发样品的管理和研发样片的测试、分析、评价等相关工作;
5. 撰写相关技术报告、方案、总结及汇报材料等;
6. 直接主管或管理团队安排的其它工作任务等。

任职资格:
1. 研究生及以上学历,微电子、物理学、半导体、电子、材料科学等相关专业;
2. 熟练使用仿真软件,熟悉器件测试和半导体物理,具备GaN器件独立的设计与研发能力;
3. 对芯片设计、流片工艺、封装、测试有深入理解,有芯片逆向工作分析经验者优先;
4. 熟悉GaN芯片常见的失效问题,可以通过失效原理提出解决方案,优化产品设计;
5. 有较强的学习能力、逻辑思维能力,较好的沟通、表达能力和团队协作精神。

以担保或任何理由索取财物,扣押证照,均涉嫌违法,请提高警惕

立即申请