岗位职责：
1.主导BSI CIS工艺平台的设计、开发和优化，包括像素结构设计、光路优化、背照式工艺整合等。
2.解决关键工艺难题（如硅片减薄、晶圆键合/解键合、深槽隔离、低损伤刻蚀等）。
3.负责CIS相关新工艺和新技术的研究并不断优化现有工艺平台；
4.与设计团队合作完成像素架构和电路协同优化（如PD、TG、FD等结构设计）。
5.负责LOT流片，WAT数据分析和DOE实验设计，分析良率损失原因，提出改进方案并实施。
6.完善CIS工艺特殊管控措施的建立和落实；
7.负责客户新产品的导入与开发；
8.负责微透镜和彩色滤光片等外协加工厂商的对接；
9.制定工艺规范，推动工艺从研发到量产的转移。
10.跟踪BSI CIS技术趋势（如堆叠式CIS、3D集成等），规划下一代工艺路线。
1.学历要求：本科及以上学历，微电子、物理、化学、材料、电气等理工科相关专业，具有半导体物理及器件物理、集成电路制造等相关知识储备；
2.工作经验：
（1）5年以上半导体工艺开发经验，至少3年BSI CIS专项经验（55nm及以下节点优先）。
（2）熟悉BSI CIS全流程工艺（如：前照式转背照式工艺、硅通孔TSV、微透镜阵列等）。
（3）有55nm/40nm等成熟节点量产经验者优先。
3.专业技能：
（1）熟悉FSI，BSI，Stack等不同的CIS工艺流程；
（2）熟悉BSI CIS专利布局，能规避技术侵权风险；
（3）熟悉CIS产品参数测试方法和判断标准；
（4）熟悉CIS工艺特殊管控的措施和注意事项；
（5）熟悉产品开发流程，了解行业上下游供应链的主要供应商；
（6）熟练掌握项目管理方法，具备出色的团队协作精神与沟通能力；
4.语言能力：
具备很好的英语听说写能力；
5.其他要求；
（1）有较强的主观能动性，积极主动推进项目进度；
（2）能够很好的总结工作内容并主动进行汇报；
（3）有较强的发现问题和解决问题的能力，能够迅速运用系统性思维与创新性方法，精准定位问题根源，制定高效解决方案；
（4）品行端正，工作严谨，具有良好的组织、沟通和协调能力、抗压能力强、有强烈的事业心和责任感；