岗位职责：
1.负责CFET器件关键工艺、集成技术研发；
2.负责高迁移率沟道器件、异质CFET等新型器件及集成技术研发；
3.负责纳米器件电学特性测试分析及优化；
4.参与相关科研项目申请、报告、结题等工作。
岗位要求：
1.电子类相关专业，硕士及硕士以上学历；
2.工作态度认真负责，做事积极主动，具有较强沟通、学习和动手能力，工作认真负责、善于学习、具有良好的团队合作精神；
3.对半导体器件和工艺有深入的理解，熟悉纳米CMOS集成工艺，具备CMOS器件电学性能分析和优化能力；
4.有半导体器件和工艺研发经验者优先。